光刻机是半导体产业中最重要的设备，技术先进的还是由荷兰ASML公司生产，我国也有在研发生产光刻机，但技术水平还比较落后，无法满足现代芯片工艺要求。

国际上最先进的水平当然是ASML的，目前能够实现量产的是5nm的光刻机，在2018年所有的中高端量产芯片的光刻机里面，ASML垄断了差不多90%以上的市场，各位朋友可以想一想这是什么样的地位？

中国目前光刻机什么水平？

中国目前能够实现量产芯片光刻机的公司是上海微电子设备系统有限公司！目前能够量产的是90nm的光刻机，65nm的光刻机已经在研发了四五年了，目前尚未处于量产阶段！前一阶段，上海微电子设备已经在28纳米商用光刻机的研发上取得了重大的进展，但是中国在光刻机之路上还有很远的路要走啊。

90nm技术对于ASML来说落后15-20年，高端芯片就得需要高端光刻机，美国敢制裁华为的芯片业务也是看到了中国半导体制造的落后！

当然中国也在一些零部件上取得了很大的突破：

比如，2016年初，光刻机核心子系统双工件台系统样机研发项目通过内部验收，为国内65nm到28nm光刻机自主研发奠定了基础！

2017年6月21日，“极紫外光刻关键技术研究”通过验收。将国内自主研发EUV光刻机技术向前推进了重要的一步！

2019年，武汉光电中心的甘棕松团队在研究第六代光刻机，利用二束激光在国产光刻机上突破了光束衍射极限的限制，刻出了最小9nm，这个技术拥有完全自主产权。

总之，我国光刻机与世界先进水平的差距，主要是制造工艺的差距。虽然，武汉光电研究中心已经突破了9nm光刻技术，但是在关键零部件、材料等方面仍然无法满足量产的需求。这也印证了一句话“自己有才是真的，只有你突破了技术，就没有人能卡住你的脖子”。也代表了中国企业在半导体行业发展的决心，期望早日突破光刻机技术难关，迎来中国芯。