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当前位置: 首页 > 新闻频道 > 知名企业 > 台积电3nm及4nm制程工艺量产时间同步,坚持FinFET不动摇
台积电3nm及4nm制程工艺量产时间同步,坚持FinFET不动摇
来源:中国数控机床网   发表时间:2020/8/26 15:16:00  浏览次数:
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在台积电第26届技术研讨会中,台积电证实了5nm和6nm制程工艺已经进入大规模量产阶段。同时,官方也宣布将在明年推出5nm的升级版本。此外,更为先进的3nm和4nm工艺也已经在研发之中。4nm制程是5nm改进后的最终版本,而3nm才是接替5nm工艺的新一代制程。

 

从技术指标来看,3nm工艺(N3)的风险试生产将于明年进行,大规模量产要等到2022年。与5nm相比,3nm能够在性能提高10%-15%的同时,减少25%-30%的能耗。 4nm(N4)的风险试生产也计划于明年进行,也是从2022年开始量产。对于台积电的5nm客户来说,他们向4nm的过渡将会极其流畅,这也意味着流片成本的大大降低。

当然,台积电并非唯一的3nm制造商,它的老对手三星也正加快研发脚步,希望在明年推出3nm制程。从核心技术来看,三星的3nm制程将会转向栅极全包围(Gate-All-Around),而台积电则会坚持采用FinFET技术。

与此同时,台积电也正在为2nm制程工艺建立新的研发中心,届时将有8000名工程师在此一同攻克2nm工艺。研发中心的具体位置暂时还不得而知,不过2nm晶圆厂的选址已经定为台湾新竹市。

今年,得益于订单的巨大增长,台积电已经投资了数百亿新台币用于购置土地,以扩大工厂产能。对于新制程工艺的研发来说,这些投资也是必要的。目前,不管是对于三星还是台积电,3nm都已经触手可及,最后一步就是要为实现量产建立晶圆厂,而这一步则取决于投资有效性。

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