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慧荣科技推出最新PCIe NVMe SSD控制芯片,超高性能表现引领主流巿场
来源:中国数控机床网   发表时间:2018/6/12 15:17:00  浏览次数:
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2018年6月8日,台北——全球闪存控制芯片领导品牌慧荣科技(Silicon Motion Technology Corporation, NasdaqGS: SIMO)于台北国际电脑展(Computex Taipei)推出一系列最新款PCIe SSD控制芯片, 全系列符合PCIe Gen3 x4 通路NVMe 1.3规范,并以现场实测展现验证其优越效能,为PCIe SSD定义新标准。慧荣科技以最完整的PCIe NVMe SSD控制芯片解决方案,来满足全方位巿场需求,包括专为超高速Client SSD设计的SM2262EN、为主流SSD市场开发的SM2263EN,以及适用于BGA SSD的SM2263XT DRAM-Less控制芯片。全系列均采用慧荣独有的韧体技术,包括端到端资料路径保护、SRAM ECC、结合LDPC和RAID的最新第五代NANDXtend™ ECC技术,支持全线最新3D TLC和QLC NAND,提供最完整及最稳定的资料保护,满足存储设备所需的高效稳定的需求。

SM2262EN适用于超高速PCIe SSD的解决方案

SM2262EN超高效能SSD控制芯片解决方案,支持PCIe G3×4通路NVMe 1.3规范和8个NAND通道设计。以最新独有的韧体技术,有效提升读写效能,最大循序读取速度高达3.5GB/s,循序写入速度达3.0GB/s,随机读写则高达420K IOPS和420K IOPS。更采用目前最先进的低功耗设计,无论是在待机还是在工作状态下,均展现超低功耗,有效减少30%的功耗,满足专业用户追求超高效能低功耗的严苛要求。SM2263EN/SM2263XT适用于主流PCIe SSD解决方案

SM2263EN和SM2263XT支持PCIe G3×4通路NVMe 1.3规范和4个NAND通道设计,并提供完整韧体设计,满足主流市场的需求。SM2263XT是一款DRAM-Less SSD控制芯片,支持主机内存缓冲(HMB)架构,有效运用系统缓存区,可提升读写速度,并可封装成适用于平板电脑11.5mm x 13mm 的小尺寸BGA SSD;SM2263XT最大循序读取速度达2.4GB/s,最大循序写入速度达1.7GB/s,符合消费级固态硬盘的经济效益需求,成为主流巿场新标配。

慧荣科技产品经理郑元顺指出:“顺应大数据时代的来临,对于存储设备的效能要求提升,PCIe SSD成为巿场主流。慧荣最新一代PCIe SSD控制芯片搭配独有的韧体技术,可发挥闪存最大效能,全面提升读写速度,并支持所有主要快闪存储器大厂的3D NAND外,还包含了最新的3D QLC及Micron第三代3D TLC。慧荣完整的控制芯片解决方案,可满足不同巿场应用,更加速了PCIe SSD的普及率。”

此次慧荣另一展示重点为最新款的图形显示芯片:

支持 4K超高清图形显示芯片:SM768图形显示芯片

慧荣最新的SM768图形显示芯片能支持4K的超高清(UHD),同时拥有USB及PCIe接口,并支持多屏幕应用,提供性能极佳的图形及影像显示解决方案。SM768图形显示芯片内建慧荣科技独家研发的内容自我调整技术 (Content Adaptive Technology,CAT),可降低CPU (中央处理器)20%~65%的使用率,不但解决嵌入式系统长期以来因绘图芯片资料过大,导致CPU负载过高拖慢整体系统效能的问题,同时也让显示效能大幅提升。SM768芯片本身的体积仅有19mm X 19mm,整体设备的体积设计可以更小、更易于携带,同时低耗电特色带来低热度系统,设计者可省去散热鳍片的成本与空间。

慧荣科技显示芯片产品营销协理李祥贤指出:“高分辨率、顺畅的影像播放,如今已成为消费者对嵌入式系统的基本要求,然而随着影像技术的精进,CPU所需处理的数据日渐庞大,高度的运算负荷造成影像延迟、高耗电的状况,SM768结合CAT与ARM Cortex-R5,以软硬整合的方式,有效降低主机的CPU负载,其高速、低耗电、小体积等特色,打造出新一代的图形显示芯片。”

此外,慧荣科技还展示了为高性能存储市场提供的SD 6.1控制芯片、UFS 2.1控制芯片、USB转UFS桥接芯片、USB 3.1控制芯片及专为车载及工控市场提供的单芯片SSD、eMMC及UFS解决方案。

 

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